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2SC5706-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Référence 2SC5706-TL-E
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 50V 5A TP-FA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 86162 pcs
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Référence 2SC5706-TL-E
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 50V 5A TP-FA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 86162 pcs
Fiche technique 2SA2039/2SC5706
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 2A
Transistor Type NPN
Package composant fournisseur 2-TP-FA
Séries -
Puissance - Max 800mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 2SC5706-TL-EOSCT
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 400MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5A
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