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MUN5111DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Référence MUN5111DW1T1G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1314258 pcs
Référence Prix
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Product parameter

Référence MUN5111DW1T1G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1314258 pcs
Fiche technique MUN5111DW1, NSBA114EDxx
Photo du produit MUN5111DW1T1G.jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 250mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms MUN5111DW1T1GOSCT
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN51**DW1T
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