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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > CDBD2SC21200-G

CDBD2SC21200-G

Comchip Technology

  • MBRB1530CT-T.jpg
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Référence CDBD2SC21200-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 64854 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs50 pcs100 pcs
$1.125$1.004$0.904$0.823
250 pcs500 pcs1000 pcs2500 pcs
$0.743$0.667$0.562$0.535
Soumettez Demande de devis sur des quantités supérieures à celles affichées.
Prix ​​cible (USD):
Quantité:
Total:
$1.125

Product parameter

Référence CDBD2SC21200-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 64854 pcs
Fiche technique CDBD2SC21200-G
Photo du produit CDBD2SC21200-G.jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max) 1200V
Package composant fournisseur TO-263 (D2Pak)
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 641-1927
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 6.2A (DC) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6.2A (DC)
Capacité à Vr, F 136pF @ 0V, 1MHz
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