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RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • HN4C51J(TE85L,F).jpg
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Référence RN1503(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 727895 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
3000 pcs
$0.031
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Product parameter

Référence RN1503(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 727895 pcs
Fiche technique RN1501-06
Photo du produit RN1503(TE85L,F).jpg
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100mA
Tension - Ventilation SMV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 50V
Séries -
État RoHS Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 250MHz
Puissance - Max 300mW
Polarisation SC-74A, SOT-753
Autres noms RN1503(TE85LF)TR
Noise Figure (dB Typ @ f) 22k
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RN1503(TE85L,F)
Fréquence - Transition 70 @ 10mA, 5V
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
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